Микросхема Renesas RJK03S3DPA
200 ₽
Нет в наличии
Silicon N Channel Power MOSFET with Schottky Barrier Diode Power Switching
Детали
| Вес | 0,3 кг |
|---|---|
| Габариты | 20 × 15 × 4 см |
| Тип корпуса | Renesas |
Описание
Silicon N Channel Power MOSFET with Schottky Barrier Diode Power Switching
Техническая документация к микросхеме RJK03S3DPA от производителя Renesas
Файл в формате pdf размером 102 КБ доступен для скачивания.
